Laser Detectors, Si Aavalanche Photodiode, Si PIN Photodiode, Position Sensing Photodiode, Quadrant Photodiode, Wavelength Sensitive Photdiode, Particle Detectors, X-Ray, InGaAs Detectors| レーザー ディテクター

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*...仕様は予告無く変更することがあります。

Si Avalanche Photodiodes (APD)
Si PIN Photodiodes
Position Sensing Photodiodes (PSD)
Quadrant Photodiodes（QP）
Wavelength Sensitive Photodiodes (WS)
Ionizing radiation detectors, Nuclear particles and X-rays
InGaAs Detectors

Si Avalanche Photodiodes (APD) （各製品の仕様詳細）

Si Avalanche Photodiodes (APD) は、300nm~1100nmの波長領域において、
内部ゲインメカニズムを有した広帯域・高利得の高速・高感度フォトダイオードです。

Si PIN Photodiodes （各製品の仕様詳細）

Si PIN Photodiode は、高い紫外線応答、低い暗電流、高シャント抵抗、極小容量などにより、
X線の検知、シンチレーターのような高効率・標準的な用途に最適化されています。
応答波長領域は190nm~1100nmです。

Position Sensing Photodiodes (PSD, 仕様詳細）

高いポジション解像度とリニアリティを有した、Single Axis/Dual Axis PSDです。

Quadrant Photodiodes（仕様詳細）
極小ギャップ、優れた単一性、低暗電流、高シャント抵抗、高解像度の製品です。

Wavelength Sensitive Photodiodes (WS, 仕様詳細)
resolution to 10-²nm particularly for monochr. sources (LED, Laser,...)

Ionizing radiation detectors, Nuclear particles and X-rays（仕様詳細）
結晶格子への吸収により直接的に、またはシンチレーターを通して間接的に
Nuclear particle（核粒子）とX線をシリコンで検出することができます。

InGaAs Detectors（仕様詳細）
最大Φ3mmの有感領域を持つ InGaAs PIN diode を推奨します。低い暗電流、高い感度などの特徴を有し、"visible-band enhanced version"では1700nmまでの計測を可能にします。パッケージは TO can またはSMD（表面実装タイプ）をご用意しています。